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参数目录41997
> BSP230,135 MOSFET P-CH 300V 210MA SOT223
型号:
BSP230,135
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
NXP Semiconductors
描述:
MOSFET P-CH 300V 210MA SOT223
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
BSP230,135 PDF
标准包装
1
系列
-
FET 型
MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
300V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
210mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
17 欧姆 @ 170mA,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
2.55V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs
-
输入电容 (Ciss) @ Vds
90pF @ 25V
功率 - 最大
1.5W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-261-4,TO-261AA
供应商设备封装
SC-73
包装
剪切带 (CT)
其它名称
568-6959-1
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